Ringkasan
1N582x adalah keluarga dioda penyearah Schottky daya rendah (low drop power Schottky rectifier) dari STMicroelectronics yang dikemas dalam DO-201AD. Dioda ini dirancang untuk aplikasi yang membutuhkan penurunan tegangan maju rendah dan switching yang sangat cepat, sehingga cocok untuk catu daya mode switching (Switch Mode Power Supplies) dan konverter DC-DC frekuensi tinggi. Keluarga ini mencakup tiga varian dengan tegangan balik puncak berulang (VRRM) yang berbeda: 1N5820 (20 V), 1N5821 (30 V), dan 1N5822 (40 V).
Secara umum, dioda Schottky bekerja dengan memanfaatkan sambungan logam-semikonduktor yang menghasilkan tegangan maju rendah dan waktu pemulihan yang sangat singkat, sehingga kerugian konduksi dan switching menjadi kecil. Fitur unggulan termasuk kerugian konduksi sangat kecil, kerugian switching yang dapat diabaikan, switching sangat cepat, penurunan tegangan maju rendah, dan kemampuan avalanche yang ditentukan. Dioda ini juga memiliki kemampuan arus maju rata-rata 3 A pada suhu lead 100°C dengan duty cycle 0,5, serta arus surja non-repetitif hingga 80 A.
Aplikasi utamanya meliputi inverter tegangan rendah frekuensi tinggi, free wheeling, proteksi polaritas, dan pengisi baterai kecil.
Fitur utama
- Kerugian konduksi sangat kecil (very small conduction losses)
- Kerugian switching dapat diabaikan (negligible switching losses)
- Switching sangat cepat (extremely fast switching)
- Penurunan tegangan maju rendah (low forward voltage drop)
- Kemampuan avalanche ditentukan (avalanche capability specified)
- Tegangan balik puncak berulang hingga 40 V (tergantung varian)
- Arus maju rata-rata 3 A pada TL = 100°C, δ = 0.5
- Arus surja non-repetitif hingga 80 A (tp = 10 ms, sinusoidal)
Spesifikasi utama
| Parameter | Nilai | Kondisi |
|---|---|---|
| Tegangan balik puncak berulang (VRRM) | 20, 30, 40 V | 1N5820 = 20 V, 1N5821 = 30 V, 1N5822 = 40 Vhlm. 1 |
| Arus maju RMS (IF(RMS)) | 10 A | hlm. 1 |
| Arus maju rata-rata (IF(AV)) | 3 A | TL = 100°C, δ = 0.5hlm. 1 |
| Arus surja non-repetitif maju (IFSM) | 80 A | tp = 10 ms, sinusoidalhlm. 1 |
| Daya avalanche puncak berulang (PARM) | 1700 W | tp = 1 µs, Tj = 25°Chlm. 1 |
| Rentang suhu penyimpanan (Tstg) | -65 to +150 °C | hlm. 1 |
| Suhu junction operasi maksimum (Tj) | 150 °C | hlm. 1 |
| Laju kritis kenaikan tegangan balik (dV/dt) | 10000 V/µs | hlm. 1 |
| Tegangan maju (VF) pada IF = 3 A | 0.475, 0.5, 0.525 V | Tj = 25°C; masing-masing untuk 1N5820, 1N5821, 1N5822hlm. 2 |
| Arus bocor balik (IR) pada VR = VRRM | 2, 2, 2 mA | Tj = 25°C; masing-masing untuk 1N5820, 1N5821, 1N5822hlm. 2 |
| Resistansi termal junction ke ambient (Rth(j-a)) | 80 °C/W | Panjang lead = 10 mmhlm. 2 |
| Resistansi termal junction ke lead (Rth(j-l)) | 25 °C/W | Panjang lead = 10 mmhlm. 2 |
Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.
Catatan desain PCB
- Gunakan persamaan kerugian konduksi yang diberikan datasheet untuk memperkirakan disipasi daya: untuk 1N5820/1N5821 gunakan P = 0.33 x IF(AV) + 0.035 x IF2(RMS), sedangkan untuk 1N5822 gunakan P = 0.33 x IF(AV) + 0.060 x IF2(RMS).hlm. 2
- Perhatikan kondisi thermal runaway: pastikan resistansi termal total dari junction ke ambient lebih kecil dari 1 dibagi koefisien suhu daya (dPtot/dTj) agar dioda tidak mengalami pelarian termal.hlm. 1
- Saat menguji parameter statis, gunakan metode pulse test dengan lebar pulsa tp = 380 µs dan duty cycle δ < 2% untuk menghindari pemanasan berlebih yang dapat mempengaruhi hasil pengukuran.hlm. 2
Kemasan
Contoh pemakaian
- Switch Mode Power Supplies (SMPS)
- Konverter DC-DC frekuensi tinggi
- Inverter tegangan rendah frekuensi tinggi
- Free wheeling (dioda flyback)
- Proteksi polaritas
- Pengisi baterai kecil (small battery chargers)
Sumber data
Disusun dari datasheet resmi STMicroelectronics (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 22 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.