Ringkasan
IRS2003 adalah driver MOSFET dan IGBT daya tegangan tinggi dan kecepatan tinggi dengan kanal output high-side dan low-side yang referensinya bergantung. Perangkat ini dibangun dengan teknologi HVIC dan CMOS latch-immune sehingga menghasilkan konstruksi monolitik yang kokoh. 3 V.
Driver output memiliki tahap buffer pulsa arus tinggi yang dirancang untuk meminimalkan konduksi silang antar driver. Kanal floating dapat digunakan untuk menggerakkan MOSFET daya N-channel atau IGBT pada konfigurasi high-side yang beroperasi hingga 200 V. Perangkat ini juga dilengkapi penguncian undervoltage, logika pencegahan konduksi silang, dan deadtime internal yang telah diatur.
Dengan karakteristik tersebut, IRS2003 cocok dipakai sebagai driver setengah jembatan pada rangkaian inverter, konverter daya, dan pengendalian motor. Kanal high-side bekerja dengan metode bootstrap, sementara kanal low-side direferensikan ke COM. Tersedia dalam paket 8-lead PDIP dan 8-lead SOIC, serta sesuai RoHS.
Fitur utama
- Kanal floating dirancang untuk operasi bootstrap
- Beroperasi penuh hingga +200 V
- Toleran terhadap tegangan transien negatif, imun dV/dt
- Rentang suplai gate drive dari 10 V hingga 20 V
- Undervoltage lockout
- Kompatibel logika 3.3 V, 5 V, dan 15 V
- Logika pencegahan konduksi silang
- Deadtime internal yang telah diatur
Spesifikasi utama
| Parameter | Nilai | Kondisi |
|---|---|---|
| Tegangan offset maksimum (VOFFSET) | 200 V | maksimumhlm. 1 |
| Arus output high/low (IO+/-) | 130/270 mA | tipikalhlm. 1 |
| Rentang tegangan suplai output (VOUT) | 10 - 20 V | hlm. 1 |
| Waktu tunda propagasi turn-on/turn-off (ton/off) | 680/150 ns | tipikalhlm. 1 |
| Deadtime | 520 ns | tipikalhlm. 1 |
| Tegangan suplai low-side dan logika (VCC) | 10 - 20 V | rekomendasi operasihlm. 2 |
| Tegangan suplai floating high-side absolut (VB) | VS + 10 - VS + 20 V | rekomendasi operasihlm. 2 |
| Tegangan offset high-side (VS) | 200 V | maksimum, rekomendasi operasihlm. 2 |
| Suhu ambien operasi (TA) | -40 - 125 °C | rekomendasi operasihlm. 2 |
| Disipasi daya paket (PD) pada TA ≤ +25 °C | 1.0 (PDIP), 0.625 (SOIC) W | board mounted, still airhlm. 2 |
| Resistansi termal junction-ambien (RthJA) | 125 (PDIP), 200 (SOIC) °C/W | board mounted, still airhlm. 2 |
| Tegangan input logika high (VIH) | 2.5 V | minimumhlm. 3 |
Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.
Pinout IRS2003STRPBF
8-Lead PDIP 8 pin
| Pin | Nama | Fungsi |
|---|---|---|
| 1 | VCC | Suplai low-side dan logika tetaphlm. 4 |
| 2 | HIN | Input logika untuk output driver gate high-side (HO), sefasehlm. 4 |
| 3 | LIN | Input logika untuk output driver gate low-side (LO), berlawanan fasehlm. 4 |
| 4 | COM | Return low-sidehlm. 4 |
| 5 | LO | Output driver gate low-sidehlm. 4 |
| 6 | VS | Return suplai floating high-sidehlm. 4 |
| 7 | HO | Output driver gate high-sidehlm. 4 |
| 8 | VB | Suplai floating high-sidehlm. 4 |
8-Lead SOIC 8 pin
| Pin | Nama | Fungsi |
|---|---|---|
| 1 | VCC | Suplai low-side dan logika tetaphlm. 4 |
| 2 | HIN | Input logika untuk output driver gate high-side (HO), sefasehlm. 4 |
| 3 | LIN | Input logika untuk output driver gate low-side (LO), berlawanan fasehlm. 4 |
| 4 | COM | Return low-sidehlm. 4 |
| 5 | LO | Output driver gate low-sidehlm. 4 |
| 6 | VS | Return suplai floating high-sidehlm. 4 |
| 7 | HO | Output driver gate high-sidehlm. 4 |
| 8 | VB | Suplai floating high-sidehlm. 4 |
Catatan desain PCB
- Gunakan kapasitor bootstrap antara VB dan VS untuk memberi suplai floating pada driver high-side; pastikan tegangan VB berada dalam rentang VS+10 V hingga VS+20 V.hlm. 2
- Perhatikan batas transien tegangan offset suplai (dV/dt) maksimum 50 V/ns agar driver tidak rusak.hlm. 2
- Manfaatkan deadtime internal 520 ns (tipikal) untuk mencegah konduksi silang; tidak perlu menambahkan deadtime eksternal.hlm. 1
- Pastikan level logika input kompatibel: VIH minimal 2.5 V dan VIL maksimal 0.8 V untuk operasi yang benar.hlm. 3
Kemasan
Contoh pemakaian
- Driver MOSFET daya N-channel pada konfigurasi high-side hingga 200 V
- Driver IGBT pada konfigurasi high-side
- Driver setengah jembatan untuk motor dan inverter
- Konverter daya dengan operasi bootstrap
Sumber data
Disusun dari datasheet resmi Infineon Technologies (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 22 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.