Ringkasan
IRS2110 adalah driver MOSFET dan IGBT daya tinggi tegangan tinggi berkecepatan tinggi dengan kanal output high-side dan low-side yang independen. Perangkat ini menggunakan teknologi HVIC dan CMOS latch-immune untuk konstruksi monolitik yang kokoh. 3 V.
Driver output dilengkapi tahap buffer pulsa arus tinggi yang dirancang untuk meminimalkan cross-conduction antar driver. Waktu propagasi yang cocok memudahkan penggunaan pada aplikasi frekuensi tinggi. Kanal floating pada perangkat ini dirancang untuk operasi bootstrap dan dapat digunakan untuk menggerakkan MOSFET daya N-channel atau IGBT pada konfigurasi high-side yang beroperasi hingga 500 V atau 600 V.
Perangkat ini toleran terhadap tegangan transien negatif dan imun terhadap dV/dt. Tersedia undervoltage lockout untuk kedua kanal, input Schmitt-trigger CMOS dengan pull-down, serta logika shutdown edge-triggered siklus per siklus. Output berada sefase dengan input, dan delay matching antara kanal high-side dan low-side dijaga agar tetap kecil.
Dengan rentang suplai gate drive dari 10 V hingga 20 V dan suplai logika terpisah, perangkat ini cocok dipakai pada rangkaian yang membutuhkan penggerak gate cepat dan andal. Aplikasi umumnya mencakup inverter, konverter DC-DC, dan pengendali motor yang memakai MOSFET daya atau IGBT. Konstruksi monolitik yang kokoh membantu menjaga keandalan pada lingkungan switching tegangan tinggi.
Fitur utama
- Kanal floating dirancang untuk operasi bootstrap
- Beroperasi penuh hingga +500 V atau +600 V
- Toleran terhadap tegangan transien negatif, imun dV/dt
- Rentang suplai gate drive dari 10 V hingga 20 V
- Undervoltage lockout untuk kedua kanal
- Kompatibel logika 3.3 V
- Input Schmitt-trigger CMOS dengan pull-down
- Logika shutdown edge-triggered siklus per siklus
Spesifikasi utama
| Parameter | Nilai | Kondisi |
|---|---|---|
| Tegangan offset maksimum (IRS2110) | 500 V | VOFFSET (IRS2110)hlm. 1 |
| Tegangan offset maksimum (IRS2113) | 600 V | VOFFSET (IRS2113)hlm. 1 |
| Arus output source/sink | 2 / 2 A | IO+/-hlm. 1 |
| Rentang tegangan suplai output | 10 - 20 V | VOUThlm. 1 |
| Waktu propagasi turn-on (typ.) | 130 ns | tonhlm. 1 |
| Waktu propagasi turn-off (typ.) | 120 ns | toffhlm. 1 |
| Delay matching maksimum (IRS2110) | 10 ns | Delay Matching (IRS2110)hlm. 1 |
| Delay matching maksimum (IRS2113) | 20 ns | Delay Matching (IRS2113)hlm. 1 |
| Tegangan suplai low-side | 10 - 20 V | VCChlm. 2 |
| Tegangan suplai logika | VSS + 3 - VSS + 20 V | VDDhlm. 2 |
| Suhu ambient kerja | -40 - 125 °C | TAhlm. 2 |
| Transien tegangan suplai offset yang diizinkan | 50 V/ns | dVs/dthlm. 2 |
Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.
Pinout IRS2110PBF
14-Lead PDIP 11 pin
| Pin | Nama | Fungsi |
|---|---|---|
| 1 | VDD | Suplai logikahlm. 4 |
| 2 | HIN | Input logika untuk output driver high-side (HO), sefasehlm. 4 |
| 3 | SD | Input logika untuk shutdownhlm. 4 |
| 4 | LIN | Input logika untuk output driver low-side (LO), sefasehlm. 4 |
| 5 | VSS | Ground logikahlm. 4 |
| 6 | VB | Suplai floating high-sidehlm. 4 |
| 7 | HO | Output gate drive high-sidehlm. 4 |
| 8 | VS | Return suplai floating high-sidehlm. 4 |
| 9 | VCC | Suplai low-sidehlm. 4 |
| 10 | LO | Output gate drive low-sidehlm. 4 |
| 11 | COM | Return low-sidehlm. 4 |
Catatan desain PCB
- Gunakan kapasitor bootstrap antara VB dan VS untuk memberi suplai pada driver high-side; pastikan dioda bootstrap cepat dan kapasitor cukup besar.hlm. 1
- Pastikan level logika input kompatibel dengan 3.3 V hingga 20 V; gunakan VDD dan VSS yang sesuai.hlm. 1
- Manfaatkan fitur undervoltage lockout untuk melindungi MOSFET/IGBT dari drive tegangan rendah yang tidak cukup.hlm. 1
- Perhatikan batas transien tegangan offset suplai (dV/dt) agar tidak melebihi 50 V/ns untuk mencegah malfungsi.hlm. 2
Kemasan
Contoh pemakaian
- Driver MOSFET daya N-channel pada konfigurasi high-side
- Driver IGBT pada konfigurasi high-side
- Inverter
- Konverter DC-DC
- Pengendali motor
Varian IRS2110 lainnya
Satu datasheet, beda kode pemesanan. Akhiran kode biasanya menandai kemasan atau cara pengemasan dari pabrik.
Sumber data
Disusun dari datasheet resmi Infineon Technologies (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 22 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.