Ringkasan
IRS21867S adalah driver MOSFET dan IGBT daya tegangan tinggi dan kecepatan tinggi dengan kanal output high-side dan low-side yang independen. Perangkat ini dibangun dengan teknologi HVIC dan CMOS latch-immune sehingga konstruksinya monolitik dan kokoh. Kanal floating-nya dirancang untuk operasi bootstrap dan mampu bekerja penuh hingga +600 V, serta toleran terhadap tegangan transien negatif dan imun terhadap dV/dt.
Driver ini juga mendukung operasi VCC rendah, sehingga cocok dipakai pada peralatan bertenaga baterai. 3 V. Output driver memiliki tahap buffer pulsa arus tinggi yang dirancang untuk meminimalkan konduksi silang antar driver.
Kanal floating dapat digunakan untuk menggerakkan MOSFET daya N-channel atau IGBT pada konfigurasi high-side yang beroperasi hingga 600 V. Undervoltage lockout tersedia untuk kedua kanal, dan delay propagasi kedua kanal dibuat cocok satu sama lain. Karena itu, komponen ini dipakai untuk mengendalikan beban induktif dan motor pada aplikasi seperti peralatan bertenaga baterai, perkakas tangan, forklift, golf-cart, peralatan hobi RC, dan e-bike.
Perangkat tersedia dalam paket SOIC-8 dan sesuai RoHS.
Fitur utama
- Kanal floating dirancang untuk operasi bootstrap
- Operasional penuh hingga +600 V
- Toleran terhadap tegangan transien negatif, imun terhadap dV/dt
- Operasi VCC rendah
- Rentang suplai gate drive dari 6.8 V hingga 20 V
- Undervoltage lockout untuk kedua kanal
- Kompatibel dengan logika input 3.3V dan 5V
- Delay propagasi yang cocok untuk kedua kanal
- Offset ground logika dan daya +/- 5 V
- Kemampuan arus source/sink output 4.0 A (Typ.)
- Bebas timbal, sesuai RoHS
Spesifikasi utama
| Parameter | Nilai | Kondisi |
|---|---|---|
| Tegangan suplai gate drive | 6.8 - 20 V | hlm. 1 |
| Tegangan offset maksimum | 600 V | hlm. 1 |
| Arus output source/sink (typical) | 4.0 A | typicalhlm. 1 |
| Waktu tunda propagasi turn-on (typical) | 170 ns | typicalhlm. 1 |
| Waktu tunda propagasi turn-off (typical) | 170 ns | typicalhlm. 1 |
| Tegangan suplai VCC (rekomendasi operasi) | 16.8 - 20 V | hlm. 4 |
| Tegangan suplai high-side floating (VB) | VS + 10 hingga VS + 20 V | hlm. 4 |
| Suhu ambient operasi | -40 hingga 125 °C | hlm. 4 |
| Disipasi daya paket | 0.625 W | TA ≤ 25°Chlm. 4 |
| Resistansi termal junction-to-ambient | 200 °C/W | hlm. 4 |
| Tegangan ambang UVLO positif (VCC dan VBS) | 5.34 - 6.66 V | hlm. 5 |
| Tegangan input logika "1" (VIH) | 2.5 V | minimumhlm. 5 |
Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.
Pinout IRS21867STRPBF
SOIC-8 8 pin
| Pin | Nama | Fungsi |
|---|---|---|
| 1 | VCC | Suplai low-side dan logika tetaphlm. 8 |
| 2 | HIN | Input logika untuk output driver gate high-side (HO), sefase dengan HOhlm. 8 |
| 3 | LIN | Input logika untuk output driver gate low-side (LO), sefase dengan LOhlm. 8 |
| 4 | COM | Return low-sidehlm. 8 |
| 5 | LO | Output driver gate low-sidehlm. 8 |
| 6 | VS | Return suplai floating high-sidehlm. 8 |
| 7 | HO | Output driver gate high-sidehlm. 8 |
| 8 | VB | Suplai floating high-sidehlm. 8 |
Catatan desain PCB
- Tempatkan kapasitor bypass keramik 1 µF antara pin VCC dan COM sedekat mungkin dengan pin untuk mengurangi elemen parasit.hlm. 16
- Untuk mengurangi transien negatif pada VS, minimalkan jarak emitter high-side ke collector low-side dan induktansi stray dari emitter low-side ke rel bus negatif.hlm. 16
- Jika spike negatif VS masih berlebihan, pertimbangkan menambahkan resistor (5 Ω atau kurang) antara pin VS dan node switch, atau diode clamping antara COM dan VS.hlm. 16
Kemasan
Contoh pemakaian
- Peralatan bertenaga baterai
- Perkakas tangan
- Forklift
- Golf-cart
- Peralatan hobi RC
- E-bike
Sumber data
Disusun dari datasheet resmi Infineon Technologies (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 20 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.