Ringkasan
2N7000 adalah transistor efek medan (MOSFET) kanal-N mode peningkatan yang diproduksi dengan teknologi DMOS kepadatan sel tinggi milik onsemi. Komponen ini dirancang untuk meminimalkan resistansi on-state (RDS(on)) sekaligus memberikan kinerja switching yang cepat, kokoh, dan andal. MOSFET ini dikendalikan oleh tegangan gerbang, sehingga cocok dipakai sebagai saklar sinyal kecil pada rangkaian elektronika.
Karena bekerja dengan mode peningkatan, MOSFET ini memerlukan tegangan gate-source positif untuk mulai mengalirkan arus antara drain dan source. Datasheet menyebutkan perangkat ini memiliki kemampuan arus saturasi yang tinggi serta dilindungi dari ESD dengan level HBM > 100 V dan CDM > 2 kV. Perangkat juga bebas timbal (Pb-free) dan halogen-free, sehingga sesuai untuk rancangan yang memperhatikan aspek lingkungan.
Datasheet menyebutkan aplikasi yang cocok untuk komponen ini, antara lain kontrol motor servo kecil, driver gerbang MOSFET daya, dan berbagai keperluan switching lainnya pada tegangan rendah dan arus rendah. Tersedia dalam paket TO-92 dan SOT-23 dengan konfigurasi pin yang berbeda tergantung paketnya. Secara keseluruhan, 2N7000 adalah MOSFET sinyal kecil yang serbaguna untuk switching cepat dan kontrol beban ringan.
Fitur utama
- Desain sel kepadatan tinggi untuk RDS(on) rendah
- Saklar sinyal kecil yang dikendalikan tegangan
- Kokoh dan andal
- Kemampuan arus saturasi tinggi
- Perlindungan ESD: HBM > 100 V, CDM > 2 kV
- Bebas timbal (Pb-Free) dan halogen-free
Spesifikasi utama
| Parameter | Nilai | Kondisi |
|---|---|---|
| Tegangan Drain-Source (VDSS) | 60 V | VGS = 0 V, ID = 10 µAhlm. 2 |
| Tegangan Gate-Source Kontinu (VGSS) | ±20 V | Continuoushlm. 2 |
| Arus Drain Maksimum Kontinu (ID) | 200 mA | 2N7000, TC = 25°Chlm. 2 |
| Arus Drain Maksimum Pulsa (ID pulsed) | 500 mA | 2N7000hlm. 2 |
| Disipasi Daya Maksimum (PD) | 400 mW | 2N7000, derated above 25°Chlm. 2 |
| Rentang Suhu Operasi dan Penyimpanan (TJ, TSTG) | -55 to 150 °C | 2N7000hlm. 2 |
| Resistansi Termal Junction-ke-Ambient (RθJA) | 312.5 °C/W | 2N7000hlm. 2 |
| Tegangan Ambang Gate (VGS(th)) | 0.8 - 3 V | VDS = VGS, ID = 1 mA, 2N7000hlm. 2 |
| Resistansi Drain-Source On (RDS(on)) | 1.2 (typ) - 5 (max) Ω | VGS = 10 V, ID = 500 mA, 2N7000hlm. 3 |
| Kapasitansi Input (Ciss) | 20 (typ) - 50 (max) pF | VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHzhlm. 3 |
| Waktu Turn-On (ton) | 10 (max) ns | 2N7000, VDD = 15 V, RL = 25 Ω, ID = 500 mA, VGS = 10 V, RGEN = 25 Ωhlm. 3 |
| Waktu Turn-Off (toff) | 10 (max) ns | 2N7000, VDD = 15 V, RL = 25 Ω, ID = 500 mA, VGS = 10 V, RGEN = 25 Ωhlm. 3 |
Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.
Pinout 2N7000TA
TO-92 (CASE 135AN) 3 pin
| Pin | Nama | Fungsi |
|---|---|---|
| 1 | Source | Terminal source MOSFEThlm. 1 |
| 2 | Gate | Terminal gate MOSFEThlm. 1 |
| 3 | Drain | Terminal drain MOSFEThlm. 1 |
SOT-23 (CASE 318-08) 3 pin
| Pin | Nama | Fungsi |
|---|---|---|
| 1 | Gate | Terminal gate MOSFEThlm. 1 |
| 2 | Source | Terminal source MOSFEThlm. 1 |
| 3 | Drain | Terminal drain MOSFEThlm. 1 |
Catatan desain PCB
- Gunakan resistor pull-down pada gate untuk memastikan MOSFET mati saat tidak ada sinyal kontrol, karena MOSFET mode peningkatan memerlukan tegangan gate-source positif untuk konduksi.hlm. 1
- Perhatikan kenaikan RDS(on) saat suhu junction naik; datasheet menunjukkan RDS(on) pada suhu 125°C lebih tinggi daripada di 25°C, jadi perhitungkan disipasi daya pada suhu kerja.hlm. 3
- Untuk switching cepat, pertimbangkan kapasitansi input (Ciss) yang kecil (typ 20 pF) sehingga pengisian gate tidak membebani driver secara berlebihan.hlm. 3
Contoh pemakaian
- Kontrol motor servo kecil
- Driver gerbang MOSFET daya
- Aplikasi switching tegangan rendah dan arus rendah
Sumber data
Disusun dari datasheet resmi onsemi (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 20 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.