Ringkasan
IRLZ44NPbF adalah MOSFET daya N-channel generasi kelima dari keluarga HEXFET yang menggunakan teknologi proses lanjutan untuk mencapai resistansi on-state sangat rendah per area silikon. Perangkat ini dirancang dengan gerbang level logika sehingga dapat dikendalikan langsung oleh sinyal logika, serta memiliki rating dv/dt dinamis dan kemampuan avalanche penuh. Kombinasi kecepatan switching yang tinggi dan desain perangkat yang kokoh membuatnya efisien dan andal untuk berbagai aplikasi.
MOSFET ini bekerja dengan mengatur aliran arus drain-source melalui tegangan gate-source. 0 V, perangkat cocok untuk drive logika. Resistansi on-state yang rendah meminimalkan disipasi daya saat konduksi, sementara kapasitansi internal yang terukur mempengaruhi kecepatan switching.
Diode body integral memungkinkan aliran arus balik dan pemulihan cepat. Aplikasi umum mencakup switching daya pada level hingga sekitar 50 watt menggunakan paket TO-220, yang banyak dipilih untuk aplikasi komersial-industri karena resistansi termal rendah dan biaya paket yang ekonomis. Perangkat ini juga cocok untuk rangkaian yang membutuhkan rating avalanche dan switching cepat, seperti konverter daya dan driver beban.
Fitur utama
- Logic Level Gate Drive
- Advanced Process Technology
- Dynamic dv/dt Rating
- 175°C Operating Temperature
- Fast Switching
- Fully Avalanche Rated
- Lead-Free
Spesifikasi utama
| Parameter | Nilai | Kondisi |
|---|---|---|
| Tegangan Breakdown Drain-to-Source (V(BR)DSS) | 55 V | VGS = 0V, ID = 250µAhlm. 2 |
| Resistansi On-State Drain-to-Source (RDS(on)) | 0.022 Ω | VGS = 10V, ID = 25Ahlm. 2 |
| Arus Drain Kontinu (ID) pada TC = 25°C | 47 A | VGS @ 10Vhlm. 1 |
| Arus Drain Kontinu (ID) pada TC = 100°C | 33 A | VGS @ 10Vhlm. 1 |
| Arus Drain Pulsa (IDM) | 160 A | hlm. 1 |
| Disipasi Daya Maksimum (PD) pada TC = 25°C | 110 W | hlm. 1 |
| Tegangan Gate-to-Source (VGS) | ± 16 V | hlm. 1 |
| Tegangan Ambang Gerbang (VGS(th)) | 1.0 - 2.0 V | VDS = VGS, ID = 250µAhlm. 2 |
| Muatan Gerbang Total (Qg) | 48 nC | ID = 25A, VDS = 44V, VGS = 5.0Vhlm. 2 |
| Kapasitansi Input (Ciss) | 1700 pF | VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0MHzhlm. 2 |
| Waktu Tunda Turn-On (td(on)) | 11 ns | VDD = 28V, ID = 25A, RG = 3.4Ω, VGS = 5.0Vhlm. 2 |
| Tegangan Forward Diode (VSD) | 1.3 V | TJ = 25°C, IS = 25A, VGS = 0Vhlm. 2 |
| Suhu Operasi Junction dan Penyimpanan (TJ, TSTG) | -55 to +175 °C | hlm. 1 |
Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.
Pinout IRLZ44NPBF
TO-220 3 pin
| Pin | Nama | Fungsi |
|---|---|---|
| 1 | Gate | Terminal kontrol gerbang untuk mengatur aliran arus drain-sourcehlm. 1 |
| 2 | Drain | Terminal drain tempat arus utama mengalirhlm. 1 |
| 3 | Source | Terminal source, terhubung ke ground pada aplikasi switching umumhlm. 1 |
Catatan desain PCB
- Gunakan tegangan gerbang 10V untuk mendapatkan resistansi on-state terendah (0.022 Ω).hlm. 2
- Pastikan tegangan gerbang tidak melebihi ±16V untuk menghindari kerusakan pada gate.hlm. 1
- Perhatikan disipasi daya maksimum 110W pada suhu case 25°C; gunakan heatsink yang memadai.hlm. 1
- Manfaatkan kemampuan avalanche penuh untuk aplikasi yang mungkin mengalami lonjakan tegangan.hlm. 1
- Suhu junction maksimum 175°C memungkinkan operasi pada lingkungan bersuhu tinggi.hlm. 1
Kemasan
Contoh pemakaian
- Switching daya pada aplikasi komersial-industri hingga sekitar 50 watt menggunakan paket TO-220
- Rangkaian yang membutuhkan rating avalanche penuh
- Aplikasi dengan kebutuhan switching cepat
- Driver beban yang dikendalikan oleh sinyal logika
Sumber data
Disusun dari datasheet resmi Infineon Technologies (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 20 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.