Ringkasan
IRF540NPbF adalah MOSFET daya N-channel dari Infineon Technologies yang menggunakan teknologi proses lanjutan HEXFET. Komponen ini dirancang untuk aplikasi switching daya dengan resistansi on-state yang sangat rendah, sehingga mengurangi kerugian konduksi. Dengan rating tegangan drain-source 100V dan arus kontinu 33A pada suhu case 25°C, MOSFET ini cocok untuk berbagai aplikasi daya menengah.
Kemampuan switching cepat dan rating dv/dt dinamis membuatnya andal dalam lingkungan switching yang keras. Selain itu, perangkat ini sepenuhnya avalanche rated, memberikan perlindungan terhadap lonjakan tegangan. Tersedia dalam paket TO-220 yang umum digunakan untuk aplikasi komersial dan industri hingga sekitar 50 watt disipasi daya.
MOSFET ini juga dilengkapi dioda body intrinsik yang dapat menangani arus balik. Dengan suhu operasi hingga 175°C, IRF540NPbF dapat diandalkan dalam kondisi termal yang menantang.
Fitur utama
- Advanced Process Technology
- Ultra Low On-Resistance
- Dynamic dv/dt Rating
- 175°C Operating Temperature
- Fast Switching
- Fully Avalanche Rated
- Lead-Free
Spesifikasi utama
| Parameter | Nilai | Kondisi |
|---|---|---|
| Drain-to-Source Breakdown Voltage | 100 V | VGS = 0V, ID = 250µAhlm. 2 |
| Static Drain-to-Source On-Resistance | max. 44 mΩ | VGS = 10V, ID = 16Ahlm. 2 |
| Gate Threshold Voltage | 2.0 - 4.0 V | VDS = VGS, ID = 250µAhlm. 2 |
| Continuous Drain Current | 33 A | TC = 25°C, VGS @ 10Vhlm. 1 |
| Continuous Drain Current | 23 A | TC = 100°C, VGS @ 10Vhlm. 1 |
| Pulsed Drain Current | 110 A | hlm. 1 |
| Maximum Power Dissipation | 130 W | TC = 25°Chlm. 1 |
| Gate-to-Source Voltage | ± 20 V | hlm. 1 |
| Operating Junction Temperature | -55 to +175 °C | hlm. 1 |
| Input Capacitance | 1960 pF | VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0MHzhlm. 2 |
| Diode Forward Voltage | max. 1.2 V | TJ = 25°C, IS = 16A, VGS = 0Vhlm. 2 |
Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.
Pinout IRF540NPBF
TO-220 3 pin
| Pin | Nama | Fungsi |
|---|---|---|
| 1 | Gate | Terminal kontrol gerbang MOSFEThlm. 1 |
| 2 | Drain | Terminal drain MOSFEThlm. 1 |
| 3 | Source | Terminal source MOSFEThlm. 1 |
Catatan desain PCB
- Gunakan tegangan gate-source maksimum ±20V untuk menghindari kerusakan pada lapisan oksida gate.hlm. 1
- Perhatikan disipasi daya maksimum 130W pada suhu case 25°C; gunakan heatsink yang memadai untuk menjaga suhu junction di bawah 175°C.hlm. 1
- Manfaatkan rating avalanche yang tinggi untuk aplikasi yang mungkin mengalami lonjakan tegangan induktif.hlm. 1
- Untuk mengurangi kerugian switching, gunakan resistor gate yang sesuai dan pertimbangkan kapasitansi input 1960pF saat merancang driver gate.hlm. 2
Kemasan
Contoh pemakaian
- Aplikasi switching daya komersial dan industri
- Konverter daya dan inverter
- Pengendali motor
- Sumber daya mode switching
Sumber data
Disusun dari datasheet resmi Infineon Technologies (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 20 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.