Ringkasan
IRF3205PbF adalah MOSFET daya N-channel dari keluarga HEXFET Advanced Process Technology yang dirancang untuk aplikasi switching daya tinggi. 0mΩ, sehingga cocok untuk konduksi arus besar dengan disipasi daya rendah. Dengan rating arus kontinu 110A pada suhu case 25°C, MOSFET ini mampu menangani beban berat pada sistem daya.
MOSFET ini bekerja dengan mengontrol aliran arus antara drain dan source melalui tegangan gate-source. Teknologi proses canggih menghasilkan on-resistance sangat rendah per area silikon, sementara desain rugged dan fast switching memungkinkan operasi efisien pada frekuensi tinggi. Rating dv/dt dinamis dan fully avalanche rated memberikan ketahanan terhadap transien dan kondisi overvoltage.
IRF3205PbF tersedia dalam paket TO-220 yang banyak digunakan untuk aplikasi komersial dan industri dengan disipasi daya hingga sekitar 50 watt. Aplikasi umum meliputi switching power supply, motor driver, inverter, dan rangkaian daya yang membutuhkan efisiensi tinggi serta keandalan pada suhu operasi hingga 175°C.
Fitur utama
- Advanced Process Technology
- Ultra Low On-Resistance
- Dynamic dv/dt Rating
- 175°C Operating Temperature
- Fast Switching
- Fully Avalanche Rated
- Lead-Free
Spesifikasi utama
| Parameter | Nilai | Kondisi |
|---|---|---|
| Tegangan breakdown drain-source (V(BR)DSS) | 55 V | VGS = 0V, ID = 250µAhlm. 2 |
| Arus drain kontinu (ID) pada TC = 100°C | 80 A | VGS @ 10Vhlm. 1 |
| Disipasi daya maksimum (PD) pada TC = 25°C | 200 W | hlm. 1 |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V | maksimumhlm. 1 |
| Suhu junction operasi (TJ) | -55 to +175 °C | hlm. 1 |
| Muatan gate total (Qg) | 146 nC | ID = 62A, VDS = 44V, VGS = 10Vhlm. 2 |
| Kapasitansi input (Ciss) | 3247 pF | VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0MHzhlm. 2 |
| Waktu tunda turn-on (td(on)) | 14 ns | VDD = 28V, ID = 62A, RG = 4.5Ω, VGS = 10Vhlm. 2 |
Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.
Pinout IRF3205PBF
TO-220 3 pin
| Pin | Nama | Fungsi |
|---|---|---|
| 1 | Gate | Terminal kontrol gate untuk mengatur konduksi MOSFEThlm. 1 |
| 2 | Drain | Terminal drain tempat arus utama mengalirhlm. 1 |
| 3 | Source | Terminal source, juga terhubung ke body diode internalhlm. 1 |
Catatan desain PCB
- Perhatikan batasan arus paket: meskipun datasheet mencantumkan arus kontinu 110A berdasarkan perhitungan termal junction, batas arus paket sebenarnya adalah 75A. Gunakan nilai 75A sebagai acuan praktis untuk menghindari overstress pada paket.hlm. 2
- Saat menggerakkan gate, pastikan tegangan VGS tidak melebihi ±20V untuk mencegah kerusakan pada oksida gate. Gunakan resistor gate yang sesuai untuk membatasi arus pengisian dan mengurangi ringing.hlm. 1
- Manfaatkan rating avalanche yang dimiliki perangkat ini untuk aplikasi yang mungkin mengalami transien induktif. Namun, tetap perhatikan batas energi avalanche dan gunakan snubber atau clamping jika diperlukan.hlm. 1
- Untuk operasi pada suhu tinggi, perhatikan derating arus drain. Pada TC = 100°C, arus kontinu turun menjadi 80A, dan disipasi daya harus dihitung ulang berdasarkan resistansi termal junction-to-case 0.75°C/W.hlm. 1
- Gunakan kapasitansi input (Ciss) sebesar 3247pF sebagai pertimbangan dalam merancang driver gate. Kapasitansi ini mempengaruhi waktu pengisian dan arus puncak yang dibutuhkan driver.hlm. 2
Kemasan
Contoh pemakaian
- Switching power supply
- Motor driver
- Inverter
- Rangkaian daya komersial dan industri
- Aplikasi yang membutuhkan disipasi daya hingga sekitar 50 watt
Sumber data
Disusun dari datasheet resmi Infineon Technologies (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 20 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.