Ringkasan
IRF9540NPbF adalah MOSFET daya P-Channel generasi kelima dari Infineon Technologies yang dibangun dengan teknologi HEXFET. Perangkat ini memakai teknik pemrosesan lanjutan untuk mencapai on-resistance yang sangat rendah per area silikon, sehingga desainer memperoleh komponen yang efisien dan andal untuk berbagai aplikasi. MOSFET P-Channel berarti kanal konduksi terbentuk oleh pembawa muatan positif, dan perangkat ini dirancang untuk beroperasi dengan polaritas tegangan drain-source negatif.
Kombinasi kecepatan switching yang tinggi dan desain perangkat yang tangguh membuatnya cocok dipakai di banyak rangkaian daya. Perangkat ini juga memiliki rating dv/dt dinamis, kemampuan avalanche penuh, serta suhu operasi hingga 175°C. Kemampuan tersebut membantu MOSFET bertahan saat menghadapi transien dan beban induktif.
Dikemas dalam TO-220 yang banyak dipilih untuk aplikasi komersial dan industri pada tingkat disipasi daya hingga sekitar 50 watt. Resistansi termal yang rendah dan biaya paket yang rendah membuat paket ini diterima luas di industri. Aplikasi tipikal mencakup konverter daya, driver motor, dan sirkuit switching yang membutuhkan MOSFET P-Channel berperforma tinggi.
Fitur utama
- Teknologi proses canggih
- Rating dv/dt dinamis
- Suhu operasi hingga 175°C
- Switching cepat
- P-Channel
- Fully Avalanche Rated
- Lead-Free
Spesifikasi utama
| Parameter | Nilai | Kondisi |
|---|---|---|
| Tegangan Breakdown Drain-Source (V(BR)DSS) | -100 V | VGS = 0V, ID = -250µAhlm. 2 |
| Resistansi Drain-Source On (RDS(on)) | 0.117 Ω | VGS = -10V, ID = -11Ahlm. 2 |
| Arus Drain Kontinu (ID) pada TC=25°C | -23 A | VGS = -10Vhlm. 1 |
| Arus Drain Kontinu (ID) pada TC=100°C | -16 A | VGS = -10Vhlm. 1 |
| Arus Drain Pulsa (IDM) | -76 A | hlm. 1 |
| Disipasi Daya Maksimum (PD) pada TC=25°C | 140 W | hlm. 1 |
| Tegangan Gate-to-Source (VGS) | ±20 V | hlm. 1 |
| Energi Avalanche Pulsa Tunggal (EAS) | 430 mJ | hlm. 1 |
| Suhu Junction Operasi (TJ) | -55 to +175 °C | hlm. 1 |
| Resistansi Termal Junction-to-Case (RθJC) | 1.1 °C/W | hlm. 1 |
| Muatan Gate Total (Qg) | 97 nC | ID = -11A, VDS = -80V, VGS = -10Vhlm. 2 |
| Kapasitansi Input (Ciss) | 1300 pF | VGS = 0V, VDS = -25V, f = 1.0MHzhlm. 2 |
Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.
Pinout IRF9540NPBF
TO-220 3 pin
| Pin | Nama | Fungsi |
|---|---|---|
| 1 | Gate | Terminal kontrol gerbang MOSFEThlm. 1 |
| 2 | Drain | Terminal drain MOSFEThlm. 1 |
| 3 | Source | Terminal source MOSFEThlm. 1 |
Catatan desain PCB
- Pastikan tegangan gate-source tidak melebihi ±20V untuk menghindari kerusakan.hlm. 1
- Perhatikan batas suhu junction maksimum 175°C dan gunakan heatsink yang memadai.hlm. 1
Kemasan
Contoh pemakaian
- Konverter daya
- Driver motor
- Sirkuit switching daya
- Aplikasi komersial dan industri
Sumber data
Disusun dari datasheet resmi Infineon Technologies (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 20 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.