Ringkasan
IRF3205S adalah MOSFET daya planar low voltage yang diproduksi oleh Infineon Technologies. Komponen ini termasuk dalam kategori MOSFET dan dijelaskan melalui Product Qualification Report yang membahas karakteristik produk terkait kualitas dan keandalan. Laporan ini bukan datasheet elektrikal, melainkan dokumen kualifikasi yang merangkum hasil pengujian stres pada sampel produksi.
Pemilihan sampel kualifikasi dilakukan pada lot produksi yang dibuat dan diuji dengan proses produksi standar serta memenuhi persyaratan yang ditetapkan. Hasil uji kualifikasi mengacu pada JEDEC untuk aplikasi target dan dapat merujuk pada hasil kualifikasi produk serupa yang dibenarkan oleh kesamaan struktur produk. Produk ini dinilai PASS menurut standar JEDEC.
Dokumen mencakup uji stres listrik seperti HTRB, HTGB, THB/HAST, IOL, serta ESD HBM dan CDM, juga uji stres lingkungan seperti preconditioning, temperature cycling, autoclave/UHAST. Karena laporan ini tidak memuat data elektrikal rinci seperti tegangan, arus, atau karakteristik switching, pengguna perlu merujuk ke datasheet produk terpisah untuk informasi tersebut.
Fitur utama
- Dikualifikasi menurut standar JEDEC dan dinilai PASS
- Tersedia dalam paket PG-TO263-3
- Tingkat kelembaban MSL 1 dengan suhu reflow 260°C
- Lulus uji HTRB dan HTGB pada suhu hingga 175°C
- Lulus uji ESD HBM level 2 dan CDM level C3
- Lulus uji temperature cycling dari -55°C hingga +150°C
Spesifikasi utama
| Parameter | Nilai | Kondisi |
|---|---|---|
| Tegangan drain-source maksimum (VDS,max) untuk uji HTRB | 80% VDS,max % | Ta = 150°C/175°C, durasi 1000 jamhlm. 2 |
| Tegangan gate-source maksimum (VGS,max) untuk uji HTGB | 80% VGS,max % | Ta = 150°C/175°C, durasi 1000 jamhlm. 2 |
| Suhu penyimpanan (MSL) | 260 °C | MSL 1hlm. 2 |
| Tegangan ESD HBM | 2000 hingga <4000 V | HBM 2hlm. 2 |
| Tegangan ESD CDM | >1000 V | CDM C3hlm. 2 |
| Suhu uji temperature cycling | -55 hingga +150 °C | 1000 siklushlm. 2 |
| Suhu uji autoclave | 121 °C | RH=100%, 96 jamhlm. 2 |
| Suhu uji UHAST | 130 °C | RH=85%, 96 jamhlm. 2 |
| Suhu uji THB | 85 °C | RH=85%, 1000 jamhlm. 2 |
| Suhu uji HAST | 130 °C | RH=85%, 96 jamhlm. 2 |
| Delta T untuk uji IOL | 100 K | 8572 siklushlm. 2 |
Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.
Catatan desain PCB
- Produk ini dikualifikasi menurut standar JEDEC dan dinilai PASS, sehingga cocok untuk aplikasi yang membutuhkan keandalan tinggi.hlm. 1
- Komponen ini memiliki ketahanan ESD HBM level 2 (2000 V hingga <4000 V) dan CDM level C3 (>1000 V), sehingga perlu penanganan ESD yang sesuai.hlm. 2
- Untuk perangkat SMD, uji keandalan dilakukan setelah preconditioning sesuai JESD22, yang mencakup MSL dan 3x reflow pada 260°C.hlm. 2
Kemasan
Contoh pemakaian
- Aplikasi yang memerlukan kualifikasi keandalan sesuai JEDEC
- Penggunaan umum sebagai MOSFET daya low voltage
Sumber data
Disusun dari datasheet resmi Infineon Technologies (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 20 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.