MOSFET · Infineon Technologies

IRF4905PBF

Ringkasan datasheet IRF4905PBF dalam bahasa Indonesia: fitur, spesifikasi utama, pinout, dan catatan desain yang perlu diperhatikan saat membuat PCB.

Ringkasan

IRF4905PbF adalah MOSFET daya P-Channel generasi kelima dari Infineon Technologies yang menggunakan teknologi HEXFET. Komponen ini dirancang untuk memberikan resistansi on-state yang sangat rendah per area silikon, sehingga cocok untuk aplikasi switching daya yang efisien. Dengan rating tegangan drain-source -55V dan arus kontinu -74A, MOSFET ini mampu menangani beban daya yang cukup besar.

MOSFET ini bekerja dengan mengontrol aliran arus dari source ke drain melalui tegangan gate-source. Sebagai tipe P-Channel, perangkat akan aktif ketika tegangan gate lebih negatif dari source. IRF4905PbF memiliki fitur dynamic dv/dt rating, fast switching, dan fully avalanche rated, yang membuatnya andal dalam kondisi switching cepat dan beban induktif.

02 ohm pada VGS -10V dan ID -38A meminimalkan kerugian daya. Komponen ini tersedia dalam paket TO-220 yang umum digunakan untuk aplikasi komersial-industrial dengan disipasi daya hingga sekitar 50 watt. Aplikasi tipikal meliputi switching daya, konverter DC-DC, driver motor, dan rangkaian yang membutuhkan MOSFET P-Channel berperforma tinggi.

Dengan suhu operasi hingga 175°C, perangkat ini cocok untuk lingkungan yang menuntut keandalan tinggi.

Fitur utama

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Dynamic dv/dt Rating
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • P-Channel
  • Fully Avalanche Rated
  • Lead-Free

Spesifikasi utama

ParameterNilaiKondisi
Drain-to-Source Breakdown Voltage-55 VVGS = 0V, ID = -250µAhlm. 2
Continuous Drain Current-74 ATC = 25°C, VGS @ -10Vhlm. 1
Gate-to-Source Voltage±20 Vhlm. 1
Maximum Power Dissipation200 WTC = 25°Chlm. 1
Operating Junction Temperature-55 to +175 °Chlm. 1
Total Gate Charge180 nCID = -38A, VDS = -44V, VGS = -10Vhlm. 2
Input Capacitance3400 pFVGS = 0V, VDS = -25V, f = 1.0MHzhlm. 2
Turn-On Delay Time18 nsVDD = -28V, ID = -38A, RG = 2.5Ωhlm. 2
Diode Forward Voltage-1.6 VTJ = 25°C, IS = -38A, VGS = 0Vhlm. 2

Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.

Pinout IRF4905PBF

TO-220 3 pin
PinNamaFungsi
1GateTerminal kontrol untuk mengatur aliran arus drain-sourcehlm. 1
2DrainTerminal tempat arus utama mengalir, terhubung ke bebanhlm. 1
3SourceTerminal referensi untuk gate dan jalur balik arushlm. 1

Catatan desain PCB

  • Gunakan tegangan gate-source maksimum ±20V untuk menghindari kerusakan pada gate.hlm. 1
  • Pastikan arus drain tidak melebihi -74A pada suhu case 25°C, dan turunkan jika suhu naik.hlm. 1
  • Untuk aplikasi switching cepat, perhatikan total gate charge 180nC untuk menghitung drive yang diperlukan.hlm. 2
  • Saat menggunakan dioda body, perhatikan tegangan forward maksimum -1.6V pada arus -38A.hlm. 2

Kemasan

TO-220

Contoh pemakaian

  • Switching daya pada aplikasi komersial-industrial
  • Konverter DC-DC
  • Driver motor
  • Rangkaian yang membutuhkan MOSFET P-Channel dengan on-resistance rendah
  • Aplikasi dengan disipasi daya hingga sekitar 50 watt menggunakan paket TO-220

Sumber data

Disusun dari datasheet resmi Infineon Technologies (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 20 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.

Dari datasheet ke board jadi

Rangkaianmu pakai IRF4905PBF? Biar Sirkuitku yang bikinkan PCB-nya.

Kirim skematik, daftar komponen, atau sekadar ide rangkaiannya. Kami kerjakan desain, cetak, dan assembly di workshop yang sama, dan kesalahan footprint dari pihak kami diperbaiki gratis.