Ringkasan
IRFZ44NPbF adalah HEXFET® Power MOSFET dari Infineon Technologies (sebelumnya International Rectifier) yang dirancang untuk aplikasi switching daya. Perangkat ini menggunakan teknologi proses lanjutan yang menghasilkan resistansi on-resistance sangat rendah per area silikon, sehingga efisiensi daya menjadi tinggi. MOSFET ini memiliki rating tegangan drain-source 55V dan arus kontinu 49A pada suhu case 25°C, serta dilengkapi rating dv/dt dinamis dan kemampuan switching cepat.
Desain perangkat yang rugged membuatnya andal untuk berbagai aplikasi komersial dan industri. Secara umum, MOSFET ini berfungsi sebagai saklar elektronik yang dikendalikan oleh tegangan gate. Ketika tegangan gate-source diberikan sesuai kebutuhan, kanal antara drain dan source menjadi konduktif sehingga arus dapat mengalir.
Sebaliknya, ketika tegangan gate-source diturunkan, kanal kembali menutup dan arus terhenti. Karakteristik ini memungkinkan pengaturan aliran daya secara efisien dengan rugi-rugi konduksi yang rendah, berkat resistansi on-resistance yang kecil. Kemampuan switching cepat juga membuat perangkat ini cocok untuk operasi frekuensi tinggi.
Paket TO-220AB yang digunakan memiliki resistansi termal rendah dan biaya paket rendah, sehingga banyak dipilih untuk disipasi daya hingga sekitar 50 watt. Perangkat ini sepenuhnya avalanche rated dan lead-free, serta memiliki rating suhu operasi hingga 175°C. Aplikasi umum meliputi konverter daya, driver motor, dan berbagai sirkuit switching yang membutuhkan pengendalian arus besar dengan efisiensi tinggi.
Fitur utama
- Advanced Process Technology
- Ultra Low On-Resistance
- Dynamic dv/dt Rating
- 175°C Operating Temperature
- Fast Switching
- Fully Avalanche Rated
- Lead-Free
Spesifikasi utama
| Parameter | Nilai | Kondisi |
|---|---|---|
| VDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) | 55 V | VGS = 0V, ID = 250µAhlm. 2 |
| RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) | 17.5 mΩ | VGS = 10V, ID = 25Ahlm. 2 |
| ID (Continuous Drain Current) @ TC = 25°C | 49 A | VGS @ 10Vhlm. 1 |
| ID (Continuous Drain Current) @ TC = 100°C | 35 A | VGS @ 10Vhlm. 1 |
| IDM (Pulsed Drain Current) | 160 A | hlm. 1 |
| PD (Power Dissipation) @ TC = 25°C | 94 W | hlm. 1 |
| VGS (Gate-to-Source Voltage) | ±20 V | hlm. 1 |
| TJ, TSTG (Operating Junction and Storage Temperature Range) | -55 to +175 °C | hlm. 1 |
| VGS(th) (Gate Threshold Voltage) | 2.0 - 4.0 V | VDS = VGS, ID = 250µAhlm. 2 |
| Qg (Total Gate Charge) | 63 nC | ID = 25A, VDS = 44V, VGS = 10Vhlm. 2 |
| Ciss (Input Capacitance) | 1470 pF | VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0MHzhlm. 2 |
| RθJC (Junction-to-Case Thermal Resistance) | 1.5 °C/W | hlm. 1 |
Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.
Pinout IRFZ44NPBF
TO-220AB 3 pin
| Pin | Nama | Fungsi |
|---|---|---|
| 1 | G | Gatehlm. 1 |
| 2 | D | Drainhlm. 1 |
| 3 | S | Sourcehlm. 1 |
Catatan desain PCB
- Gunakan tegangan gate-source (VGS) sebesar 10V untuk mendapatkan on-resistance yang rendah, karena RDS(on) diukur pada kondisi VGS = 10V.hlm. 2
- Pastikan arus drain tidak melebihi 49A pada suhu case 25°C, dan turunkan arus jika suhu case lebih tinggi (35A pada 100°C).hlm. 1
- Perhatikan disipasi daya maksimum 94W pada TC=25°C; gunakan heatsink yang memadai untuk menjaga suhu junction di bawah 175°C.hlm. 1
- Jangan memberikan tegangan gate-source melebihi ±20V untuk menghindari kerusakan pada gate.hlm. 1
- Manfaatkan rating avalanche yang dimiliki perangkat ini untuk aplikasi yang mungkin mengalami kondisi overvoltage induktif.hlm. 1
Kemasan
Contoh pemakaian
- Konverter daya
- Driver motor
- Sirkuit switching
- Aplikasi komersial dan industri
Sumber data
Disusun dari datasheet resmi Infineon Technologies (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 20 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.