Ringkasan
IRLML6402TRPbF adalah MOSFET kanal-P HEXFET dari Infineon Technologies yang ditujukan untuk aplikasi manajemen baterai dan beban. Perangkat ini dibuat dengan teknik pemrosesan canggih sehingga menghasilkan on-resistance yang sangat rendah per area silikon. Keunggulan itu dipadukan dengan kecepatan switching yang tinggi serta desain perangkat yang kokoh, sehingga perancang memperoleh perangkat yang efisien dan andal untuk pengaturan baterai maupun beban.
MOSFET ini memakai leadframe dengan pad besar yang ditingkatkan secara termal di dalam paket SOT-23 standar. Hasilnya adalah MOSFET HEXFET dengan jejak kaki terkecil di industri. Paket tersebut disebut Micro3™ dan cocok untuk aplikasi yang sangat membutuhkan ruang papan sirkuit tercetak.
Profilnya yang rendah memudahkan pemasangan pada lingkungan aplikasi yang sangat tipis, misalnya perangkat elektronik portabel dan kartu PCMCIA. Perangkat ini tersedia dalam kemasan tape and reel, bebas timbal, serta sesuai RoHS dan halogen-free. Dengan rating tegangan drain-source -20V dan on-resistance rendah, komponen ini dipakai sebagai saklar beban, pengatur daya baterai, dan aplikasi switching cepat lain yang membutuhkan MOSFET kanal-P berukuran mungil.
Fitur utama
- Ultra Low On-Resistance
- P-Channel MOSFET
- SOT-23 Footprint
- Low Profile (<1.1mm)
- Available in Tape and Reel
- Fast Switching
- Lead-Free
- RoHS Compliant, Halogen-Free
Spesifikasi utama
| Parameter | Nilai | Kondisi |
|---|---|---|
| Tegangan Drain-Source (VDSS) | -20 V | Maksimumhlm. 1 |
| Arus Drain Kontinu (ID) pada TA = 25°C | -3.7 A | VGS @ -4.5Vhlm. 1 |
| Arus Drain Kontinu (ID) pada TA = 70°C | -2.2 A | VGS @ -4.5Vhlm. 1 |
| Arus Drain Pulsa (IDM) | -22 A | Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%hlm. 1 |
| Disipasi Daya (PD) pada TA = 25°C | 1.3 W | Maksimumhlm. 1 |
| Tegangan Gate-to-Source (VGS) | ± 12 V | Maksimumhlm. 1 |
| Rentang Suhu Junction dan Penyimpanan | -55 to +150 °C | Maksimumhlm. 1 |
| Resistansi Drain-to-Source On (RDS(on)) | 0.065 Ω | VGS = -4.5V, ID = -3.7A, maksimumhlm. 2 |
| Resistansi Drain-to-Source On (RDS(on)) | 0.135 Ω | VGS = -2.5V, ID = -3.1A, maksimumhlm. 2 |
| Tegangan Ambang Gate (VGS(th)) | -0.40 hingga -1.2 V | VDS = VGS, ID = -250μAhlm. 2 |
| Muatan Gate Total (Qg) | 8.0 (typ), 12 (max) nC | ID = -3.7A, VDS = -10V, VGS = -5.0Vhlm. 2 |
| Kapasitansi Input (Ciss) | 633 pF | VGS = 0V, VDS = -10V, f = 1.0MHzhlm. 2 |
Nilai diambil dari datasheet; “hlm.” menunjuk halaman datasheet tempat angka itu tertulis.
Pinout IRLML6402TRPBF
Micro3™ (SOT-23) 3 pin
| Pin | Nama | Fungsi |
|---|---|---|
| 1 | G | Gatehlm. 1 |
| 2 | S | Sourcehlm. 1 |
| 3 | D | Drainhlm. 1 |
Catatan desain PCB
- Untuk informasi footprint dan teknik penyolderan yang direkomendasikan, lihat application note #AN-994.hlm. 2
- Saat menguji karakteristik pulsa, pastikan lebar pulsa ≤ 400μs dan duty cycle ≤ 2% untuk menghindari pemanasan berlebih.hlm. 2
- Energi avalanche pulsa tunggal diukur dengan kondisi starting TJ = 25°C, L = 1.65mH, RG = 25Ω, IAS = -3.7A.hlm. 2
Kemasan
Contoh pemakaian
- Manajemen baterai dan beban
- Peralatan elektronik portabel
- Kartu PCMCIA
- Aplikasi yang membutuhkan footprint PCB kecil
Sumber data
Disusun dari datasheet resmi Infineon Technologies (buka PDF). Ringkasan ditulis dengan bantuan AI, lalu setiap angka dan nama pin dicocokkan otomatis ke teks datasheet; yang tidak ditemukan di datasheet dibuang. Terakhir diperiksa 20 Oktober 2026. Untuk desain akhir, tetap rujuk datasheet asli.